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電子元器件整合供應(yīng)商

解決方案

作為致力成為最具價(jià)值的電子元器件整合供應(yīng)商，南京南山擁有能為客戶提供全套電子元器件的強(qiáng)大整合能力。公司擁有專門(mén)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，建有電子元器件例行試驗(yàn)室，能為客戶提供全方位的技術(shù)咨詢、器件選型、樣品提供、器件檢測(cè)等增值服務(wù)。

新潔能 NCE30P12S：適用于 PWM 和負(fù)載開(kāi)關(guān)的卓越功率器件

發(fā)布時(shí)間：2025-05-27 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：407

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，功率 MOSFET 是實(shí)現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換和控制的關(guān)鍵元件。新潔能推出的增強(qiáng)型功率 MOSFET，憑借其優(yōu)質(zhì)性能，成為眾多工程師的理想選擇。今天就來(lái)了解下這款新潔能 NCE30P12S：適用于 PWM 和負(fù)載開(kāi)關(guān)的卓越功率器件。

 

 

NCE30P12S 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和低柵極電荷（Qg），同時(shí)支持低至 4.5V 的柵極電壓操作。這使得該器件在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，特別適合 PWM 應(yīng)用和負(fù)載開(kāi)關(guān)。

 

高耐壓與大電流處理能力

 

NCE30P12S 的漏源電壓（VDS）高達(dá) -30V，能夠承受高電壓沖擊。連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá) -12A，滿足高功率應(yīng)用需求。這使得 NCE30P12S 能夠在各種高功率場(chǎng)景中穩(wěn)定運(yùn)行，確保設(shè)備的可靠性和效率。

 

低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷

 

在 VGS=-4.5V 時(shí)，RDS(ON) 小于 21mΩ；在 VGS=-10V 時(shí)，RDS(ON) 小于 13mΩ。低導(dǎo)通電阻顯著降低了功耗，提高了系統(tǒng)的整體效率。同時(shí)，低柵極電荷（Qg）減少了開(kāi)關(guān)損耗，確保了在高頻應(yīng)用中的快速響應(yīng)。

 

高功率處理能力

 

NCE30P12S 支持高功率和大電流處理，適用于高功率應(yīng)用。其高功率處理能力使其在 PWM 應(yīng)用和負(fù)載開(kāi)關(guān)中表現(xiàn)出色，能夠滿足各種高功率需求。

 

無(wú)鉛封裝與表面貼裝

 

NCE30P12S 采用環(huán)保的無(wú)鉛封裝，符合現(xiàn)代電子設(shè)備的環(huán)保要求。SOP-8 封裝形式適合表面貼裝工藝，提高了生產(chǎn)效率，同時(shí)減少了焊接過(guò)程中的復(fù)雜性。

 

應(yīng)用場(chǎng)景

 

NCE30P12S 廣泛應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用和負(fù)載開(kāi)關(guān)。在 PWM 應(yīng)用中，NCE30P12S 提供高效的功率轉(zhuǎn)換和控制，確保信號(hào)的快速、準(zhǔn)確傳輸。在負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，NCE30P12S 提供穩(wěn)定的電流控制，確保負(fù)載的可靠切換。

 

技術(shù)參數(shù)

 

參數(shù) 符號(hào) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=-250μA -30 - - V
零柵極電壓漏極電流 IDSS VDS=-30V, VGS=0V - - -1 μA
柵極-體漏漏電流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
柵極閾值電壓 VGS(th) VDS=VGS, ID=-250μA -2.2 -1.5 -1 V
漏源導(dǎo)通電阻 RDS(ON) VGS=-10V, ID=-10A 11.5 13 - mΩ
漏源導(dǎo)通電阻 RDS(ON) VGS=-4.5V, ID=-7A 15 21 - mΩ
前向跨導(dǎo) gFS VDS=-10V, ID=-10A - 20 - S
輸入電容 Clss VDS=-15V, VGS=0V, F=1.0MHz - 2419 - pF
輸出電容 Coss - 318 - - pF
反向轉(zhuǎn)移電容 Crss VDS=-15V, VGS=0V, F=1.0MHz - 262 - pF
開(kāi)啟延遲時(shí)間 td(on) VDD=-15V, ID=-10A, VGS=-10V, RGEN=1Ω - 9 - nS
開(kāi)啟上升時(shí)間 tr - - 8 - nS
關(guān)閉延遲時(shí)間 td(off) - - 28 - nS
關(guān)閉下降時(shí)間 tf - - 10 - nS
總柵極電荷 Qg VDS=-15V, ID=-10A, VGS=-10V - 44.4 - nC
柵極-源極電荷 Qgs - - 4.6 - nC
柵極-漏極電荷 Qgd - - 10 - nC
整流器正向電流 IS VGS=0V, IS=-12A - - -12 A
整流器正向電壓 VSD VGS=0V, IS=-12A - -1.2 - V

 

性能優(yōu)勢(shì)

 

NCE30P12S 的性能優(yōu)勢(shì)使其在各種應(yīng)用場(chǎng)景中都能提供卓越的性能。其低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷確保了在高頻應(yīng)用中的快速響應(yīng)，而高功率處理能力則使其能夠滿足各種高功率需求。

 

新潔能 NCE30P12S P-Channel 增強(qiáng)型功率 MOSFET 憑借其卓越的性能和可靠性，成為 PWM 應(yīng)用和負(fù)載開(kāi)關(guān)的理想選擇。無(wú)論是在 PWM 控制還是負(fù)載切換中，NCE30P12S 都能提供高效、穩(wěn)定和可靠的性能。選擇新潔能 NCE30P12S，開(kāi)啟高效、穩(wěn)定和可靠的功率管理新時(shí)代。