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上海貝嶺BLG80T65FDH7：650V 80A IGBT單管在光伏逆變器上的應用
化石能源帶來的污染問題日益凸顯，清潔可再生的太陽能成為重要替代能源，其中光伏發(fā)電應用最為廣泛。作為光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心，光伏逆變器負責將太陽能電池板產生的直流電轉換為可并網的交流電，其性能直接影響發(fā)電效率和系統(tǒng)可靠性。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）憑借其優(yōu)異的綜合性能，是光伏逆變器的關鍵功率器件。上海貝嶺積極研發(fā)新一代IGBT技術，推出650V/80A IGBT單管BLG80T65FDH7，授權代理商南山電子可提供該型號樣品及詳細資料，助力客戶實現(xiàn)光伏逆變器的高效率、高可靠性設計。
上海貝嶺IGBT單管BLG80T65FDH7，額定電流為80A，耐壓650V。該產品對目前主流的戶用光伏逆變器拓撲Heric等都有很好的匹配性，同時也適用于三相NPC1和NPC2（橫管）的應用場景，能夠滿足不同光伏逆變器設計的需求。
產品特點：
BLG80T65FDH7采用新一代微溝槽多層場截止IGBT技術，具備以下技術特性：
- 導通優(yōu)化：微溝槽結構增加載流子注入效率，優(yōu)化導通壓降（Vce(sat)），減小導通損耗。
- 開關加速：場截止層加速關斷時的載流子抽取，降低開關損耗，支持更高工作頻率。
- 高溫穩(wěn)定：多層場截止結構提高高溫穩(wěn)定性。
- 優(yōu)異反并聯(lián)：內部采用超快速軟恢復二極管進行反并聯(lián)。
性能特點：
- 優(yōu)化開通損耗和關斷損耗，開關頻率高。
- 低導通壓降Vce(sat)，減小器件的導通損耗。
- Vce(sat)正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用。
- 高BVces耐壓能力。
- 低VF和快軟恢復二極管（合封）。
- 通過HV-H3TRB加嚴可靠性驗證，保證極端運行環(huán)境下使用壽命。
- 符合175℃最高結溫的工業(yè)級和車規(guī)級考核標準。
性能亮點：
1.效率優(yōu)勢——低飽和壓降Vce(sat)
在光伏應用場景中，IGBT的導通損耗在總損耗中占比很大，而影響導通損耗的主要參數(shù)是VCE(sat)。上海貝嶺BLG80T65FDH7在常溫25℃和高溫175℃時的導通壓降均達到了國際大廠的水平，且相比競品略低。此外，隨著結溫的升高，VCE(sat)呈現(xiàn)正溫度系數(shù)，這有助于解決并聯(lián)應用中的均流和熱平衡問題，進一步提升了產品在光伏逆變器中的應用效率。
2.動態(tài)性能提升——低開關損耗
在光伏逆變應用中，單管IGBT通常設計在20kHz左右的頻率下工作，而且存在高頻化的發(fā)展趨勢，因此降低IGBT的開關損耗顯得尤為重要。上海貝嶺BLG80T65FDH7在降低導通壓降的同時，也對開關損耗進行了優(yōu)化。數(shù)據顯示，BLG80T65FDH7的開啟損耗與競品相差不大，關斷損耗比競品略低，總開關損耗略小于競品，性能達到了國際大廠S5系列的水平。
3.IGBT合封二極管——較低的VF和Qrr
BLG80T65FDH7合封了低VF的二極管，有利于降低二極管續(xù)流過程中的導通損耗。相關數(shù)據表明，貝嶺IGBT合封二極管的VF與競品相差不大。在相同的測試條件下，BLG80T65FDH7合封二極管的Qrr比競品更小，在高頻應用中損耗更低，具備更明顯的優(yōu)勢。
4.溫升表現(xiàn)良好——板級溫升測試
基于出色的器件設計，上海貝嶺BLG80T65FDH7的各項參數(shù)與國際大廠的功率器件接近，部分參數(shù)更具優(yōu)勢，為光伏應用通過系統(tǒng)測試提供了有力保障。在常溫環(huán)境下，將上海貝嶺BLG80T65FDH7與I公司產品在10kW光伏逆變平臺上進行測試，兩者的殼溫基本一致，產品性能能夠滿足客戶的使用需求。
上海貝嶺650V/80A IGBT單管BLG80T65FDH7憑借先進的技術、優(yōu)良的性能和可靠的品質，在光伏逆變器應用中展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢。無論是在效率、動態(tài)性能方面，還是在合封二極管特性、溫升表現(xiàn)上，都達到了較高水準，能夠很好地滿足光伏逆變器對高效、高頻、高可靠性的要求。該產品的推出，不僅為客戶在光伏逆變器設計中提供了優(yōu)質的選擇，也彰顯了上海貝嶺在IGBT技術研發(fā)領域的實力，為推動光伏產業(yè)的發(fā)展貢獻了積極力量。
南山電子是上海貝嶺公司授權代理商，歡迎咨詢選購上海貝嶺IGBT單管BLG80T65FDH7，如需產品詳細的規(guī)格書或最新報價，請咨詢南山半導體官方網站在線客服。
